沉阳仪器仪表研究所是成立于1961年的国家级科研机构，现隶属于国机集团。国家传感器研究中心于2012年底正式成立，是一家致力于提高传感器产业的核心竞争力和发展的研发实体研究所，是国家传感器产业的重要组成部分。我所是我国最早（1981年）从事硅基敏感芯片的研究，开发和生产的单位，也是中国芯片和核心制造技术的来源。我所始终以芯片开发为核心技术，拥有光刻，离子注入，膜片腐蚀等芯片制造技术，并拥有一整套芯片制造设备，广泛应用于航空航天，航空，造船等领域。扩散硅压敏芯片HB2103系列灵敏芯片具有封闭，半开放，全开放的硅电阻桥连接形式。恒流激励，灵敏度和温度自补偿功能。反向PN结电气隔离结构，玻璃绝缘衬里。适用于表压，绝对压力，压差，负压测量。覆盖所有100kPa〜100MPa的常用范围技术指标切屑尺寸（μm）2050 * 2050、2450 * 2450、3340 * 3340;工作温度：-45℃〜+ 100℃（特殊温度可定制）过载能力：参考范围的2倍（＜10MPa）；参考范围（≥10MPa）的1.5倍电桥电阻：5（1±20％）KΩ; 4（1±20％）KΩ; 3.3（1±20％）KΩ满量程输出：≥60mV线性度：±0.25％FS零点温度影响：±0.1％FS /℃满量程温度影响：±0.1％FS /℃电源：恒定电流1mA， 1.5mA或恒定电压5VDC