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TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器,您知道吗?

您知道TI的LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器吗?它有什么作用? 2019年9月26日-专注于推出新产品并提供大量电子元器件分销商,Mouser Electronics将开始向德州仪器(TI)LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器供货。 LMG1210是TI出色的氮化镓(GaN)功率产品系列。与传统的硅替代品相比,它具有更高的效率和功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并且专门针对经过优化的对速度至关重要的功率转换应用而设计。 TI LMG1210是50 MHz半桥驱动器,专门设计用于与电压高达200V的增强模式GaN FET一起使用。 LMG1210可以实现超高性能和高效率运行,并且具有10 ns的超短传播延迟,这优于传统的硅半桥驱动器。该器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的空载时间控制,允许设计人员优化系统中的空载时间,从而提高了效率。 LMG1210具有3.4 ns的高端/低端延迟匹配,最小4 ns的脉冲宽度和内部LDO,以确保可以在任何电源电压下维持5V的栅极驱动电压。该驱动器还具有超过300 V / ns的业界超高共模瞬变抗扰度(CMTT),可以实现高系统抗扰度。 TI LMG1210驱动器适用于高速DC / DC转换器,电机控制,D类音频放大器,E类无线充电,RF包络跟踪和其他功率转换应用。贸泽电子拥有丰富的产品线和周到的客户服务,并积极推出新技术和新产品,以满足设计工程师和采购商的各种需求。我们库存了大量新的电子组件,以为客户提供支持新一代设计项目。 Mouser网站Mouser.cn不仅具有各种高级搜索工具来帮助用户快速了解产品库存,而且网站会不断更新以不断优化用户体验。此外,Mouser网站还为用户提供了大量资料,例如数据表,特定于供应商的参考设计,应用说明,技术设计信息和工程工具。参考。以上是对TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器的分析,希望对您有所帮助。