赛普拉斯16兆字节快速异步SRAM，其访问时间小于10ns。异步SRAM包含超过1亿个晶体管，并使用6个晶体管存储单元。这是该公司4兆字节快速异步SRAM的后续产品。赛普拉斯负责这一新的SRAM设计过程，从概念设计到交付。阶段。初步确定了第一片硅晶片，初步结果表明访问时间将大大少于10ns。该设计使用0.16微米CMOS工艺实现，芯片面积超过120,000平方密尔。尽管该公司较早的异步SRAM设计是使用高压晶体管实现的，但新的SRAM使用双电压晶体管和双栅氧化工艺，因此仅使用低压晶体管。因此，降低了芯片的成本。但是，该设备仍然可以承受高电压。在实施双栅氧化物时，部分芯片保留给高压晶体管使用；高压晶体管用于调节电路，上电复位电路以及输入和输出缓冲器。新SRAM中的所有晶体管均为低压晶体管。 。设计师采用了一些耐高压技术，包括级联晶体管，因此施加到晶体管的栅极-源极电压不超过2.5V。为了确保更快的访问时间，新SRAM的关键设计目标是确保无论外部Vcc怎样变化，芯片上的Vcc都保持恒定。如果芯片的外部Vcc发生变化，例如从2.2V变为3.8V，则芯片的内部Vcc仅为2V。如果外部Vcc从2.2V变为4V，则芯片将维持相同的访问时间。决定采用0.16微米CMOS工艺制造SRAM的决定还要求使用低压技术。当线宽为0.16微米时，不可能使用高压技术，因为您必须减少所有电压。减少栅极氧化物后，必须降低电源电压，因此需要稳压器。赛普拉斯是宇新电子的代理商，提供驱动程序等产品解决方案。 q