LED显示屏，装饰性LED灯和LED汽车灯在街上随处可见。 LED灯随处可见，LED已融入生活的每个角落。通常，LED制造过程分为两部分：首先，在衬底上制造基于氮化镓（GaN）的晶片。该过程主要在金属有机化学气相沉积（MOCVD）晶片炉中完成。 。在准备好生产GaN基晶片所需的材料来源和各种高纯度气体之后，可以根据工艺要求逐步完成外延晶片。常用的衬底主要包括蓝宝石，碳化硅和硅衬底，以及GaAs，AlN，ZnO等材料。 MOCVD使用气相反应物（前体），III族有机金属和V NH3族在基材表面上反应，并将所需产物沉积在基材表面上。通过控制温度，压力，反应物浓度和类型比，可以控制涂料组成和晶体的质量。 MOCVD外延炉是制造LED外延晶片最常用的设备。然后，处理LED PN结的两个电极。电极处理也是制造LED芯片的关键过程，包括清洁，蒸发，泛黄，化学蚀刻，熔化和研磨。然后对LED毛坯进行切割，测试和分割。选择，即可获得所需的LED芯片。如果未充分清洁芯片且蒸发系统异常，则金属层（指蚀刻后的电极）会脱落，金属层的外观会改变颜色，并且金泡也会异常。在蒸发过程中，有时需要用弹簧夹固定芯片，因此会出现捏痕（必须在目视检查中将其取出）。黄光操作包括烘烤，光刻胶，照相曝光，显影等。如果显影不完全且光掩模上有孔，则发光区域中会有更多的金属。在芯片的前端处理中，必须使用镊子，花篮和载体，进行清洗，蒸发，泛黄，化学蚀刻，熔化，研磨等各种处理，以免在芯片电极上产生划痕。当今的LED灯可能存在一些问题，但是我们相信，随着科学技术的飞速发展，这些问题最终将在我们的科研人员的努力下得到解决。未来的LED必须是高效和高质量的。