安森美半导体是宽带隙半导体的领先制造商，也是该技术的先驱，并创造了最低RDSon SiC MOSFET之一。我们提供一流的封装技术，全面的高效电源解决方案，包括先进的基于碳化硅（SiC）的器件，例如SiC MOSFET，SiC二极管，SiC和氮化镓（GaN）驱动器以及集成模块。安森美半导体推出了两个新系列：1200 V（V）和900 V N沟道SiC MOSFET，扩大了其宽带隙（WBG）器件系列。本文介绍了该技术，您可以了解我们介绍的新型SiC MOSFET的用例，以及哪些最终应用将从我们的新型SiC解决方案中受益。 1200 V SiC MOSFET问：1200 V，20mΩN沟道SiC MOSFET NTHL020N120SC1的主要特性是什么？答：NTHL020N120SC1设计为在1200V的阻断电压（VDSS）时提供极低的传导损耗。此外，它设计为以低内部栅极电阻（Rg =1.81Ω）和低输出电容（Coss = 260pF）快速驱动。问：与安森美半导体现有的SiC MOSFET（在引入NTHL020N120SC1之前）相比，NTHL020N120SC1的改进功能是什么？答：这是我们的第一代SiC MOSFET，因此无法与以前的器件进行比较。但是，我们的器件在强大的氧化物性能（VGS额定值为+ 25V / -15V），无Vth漂移，无体二极管漂移，高开关速度和dv / dt的情况下，在市场上具有优于其他器件的一些优势。强大的体二极管用于硬开关。问：NTHL020N120SC1提供哪些竞争规格？答：我们的1200V SiC MOSFET器件在市场上非常有竞争力，可以满足甚至超过大多数客户的需求。规格。每个应用程序专注于不同的参数，但总的来说，我们将设备设计为可快速运行，从而减少了开关和传导损耗。为此，我们实现了较低的RDSon，并选择了较低的内部栅极电阻以实现快速开关。我们设计的器件坚固耐用，具有超过100V / ns的快速瞬态抗扰性。问：SiC的优点是什么？答：SiC的优点是材料本身的介电击穿场强比硅高10倍，电子饱和率高2倍，热导率高3倍。该系统的优点是减少功率损耗，增加功率密度，工作频率，可忍受的工作温度，降低EMI，最重要的是减少系统尺寸和成本，从而提供最高的能源效率。终端应用程序：问：哪些终端应用程序将充分利用NTHL020N120SC1的主要功能？答：减少材料清单（BOM）组件并提高功率密度将使各种终端应用受益匪浅。两种特别明显的特定应用是太阳能逆变器和电动汽车（EV）充电桩。问：为什么SiC MOSFET产品特别有利于太阳能逆变器和电动汽车充电桩？这些应用对尺寸/形状有严格的要求吗？如果是这样，您能告诉我们背景或要求吗？答：大多数PFC等级通常都很复杂，频率有限，能源效率从未超过98％。使用SiC可以减少组件数量（降低复杂性），减少无源组件，实现更好的散热和高于98％的能效。问：对于较小的太阳能逆变器和充电桩有很大的需求吗？原因是什么？答：太阳能逆变器：目前，太阳能逆变器市场有两种趋势。安森美半导体估计将占据目标市场总量（TAM）的30％。 1）每排面板中的多个小于20kW的小型逆变器将直流电转换为交流电，然后为大型兆瓦级逆变器供电。小于20kW的小型逆变器通常在PCF级使用离散SiC。对于LLC，根据时间表，成本和能效目标，使用超级结（SJ）和SiC的组合。如果客户改用SiC，则有很多优点，但是栅极驱动电压较高，因此必须重新设计电路是不利的。 2）一些大于20kW的大型逆变器将占据多排面板，并且不会馈入大型逆变器。大于20kW的大型逆变器通常使用电源模块。它曾经是IGBT模块，然后在过去5年中向混合模块（IGBT + SiC二极管）发展，现在我们看到使用SiC MOSFET模块。充电桩：充电桩具有4级功率。 1级和2级是1/3相AC充电器。这些充电器不使用SiC，而是使用汽车的车载充电器（OBC）为电池充电。第3级和第4级具有更高的功率，并在充电桩上使用AC-DC，因此当您连接到汽车时，