如今，越来越多的电子电路正在使用FET，特别是在音频领域。 FET与晶体管不同。它们是电压控制器件（晶体管是电流控制器件），它们的特性更像是管具有高输入阻抗和大功率增益。由于电压控制装置，噪音很小。结构示意图如图Ca所示。 FET是单极晶体管，只有一个PN结。在零偏压状态下，如果在反向电场下在其栅极（G）和源极（S）之间施加反向偏压（称为栅极偏压），则导通。当PN变厚（称为耗尽区）时，沟道变窄，漏极电流变小（见图C1-b）。当反向偏压达到一定值时，耗尽区将“钳位”。完整的渠道。此时，FET进入关断状态，如图Cc所示。此时的反向偏压称为夹断电压。它由Vpo表示，其接近栅极电压Vgs和漏极 - 源极电压Vds。 VPO =车辆定位系统+ | VGS | ，其中| VGS |是Vgs的绝对值。下图是单个结构的FET Jane示意图（P沟道FET是P型半导体部分和N型半导体部分互换）。双极晶体管的基极发射极和基极集电极之间有两个PN结，即有二极管。在JFET的栅极和沟道之间存在PN结（输出电路和漏极源之间的部分），因此认为存在二极管（由于PN结而称为结FET）。如图所示，根据该结构，FET可以分为结FET（JFET：结FET）和绝缘栅FET（MOSFET：金属氧化物半导体FET）。根据电气特性，MOSFET可分为两种类型：删除（删除）和增强（增强）。它们可以进一步分为N沟道型（相当于NPN型双极晶体管）和P沟道型（与PNP型双极晶体管相当）。在实际的FET模型中根本没有看到JFET和MOSFET，耗尽模式和增强型之间的区别。只有N通道器件是2SK×××（也有双门3SK×××），而P通道器件是2SJ×××，以区分N通道和P通道器件。将万用表放入R 1K块，用黑色笔触摸假定的门G针，然后用红笔触摸另外两个针。如果将阻力与Jj（约510Q）进行比较，则为红色。黑色手表只测量一次。如果电阻大（O），则意味着反向电阻（PN结反向）是N通道管，黑色测试引线触及的管是门C，这表明原始假设是正确的。再次测量的电阻值很小，表明它是正向电阻，属于P沟道FET，黑色表笔也接触到栅极C.如果上述情况没有发生，你可以改变红色和黑色测试引线并根据上述方法进行测试，直到判断门。通常，结效应晶体管的源极和漏极在制造时是对称的。因此，在确定栅极G之后，不必判断源极S漏极D，因为两极可以互换使用。没有必要区别对待。源极和漏极之间的电阻约为几千欧姆。