eGaN®FET可实现98％的效率，250 W / 48 V DC / DC解决方案，适用于超薄和高密度计算应用

EPC电源转换公司（EPC）宣布推出用于48 V DC / DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。

EPC9153是一款250 W超薄电源模块，具有简单且低成本的同步降压配置，峰值效率为98.2％，最大组件厚度为6.5 mm。

EPC9148使用多层拓扑，组件的最大厚度小于4 mm，峰值效率为98％。

这两个演示板集成了Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和EPC的最新一代100 V GaN场效应晶体管。

它们具有超薄的外形尺寸，在12.5 A电流下的效率达到98％以上。

由于Microchip数字控制器的高度灵活性，它允许将输入电压调节至44 V至200V。

60 V，而输出电压在5 V至20 V的范围内。

EPC9148多电平转换器减小了支持磁性组件的模块的尺寸，同时在紧凑的解决方案中实现了高效率。

EPC9148演示板的一大亮点是使用WürthElektronik的超薄功率电感器来实现具有超高功率密度的设计。

EPC9153演示板提供了一种简单且低成本的同步降压配置，因此该组件可实现纤薄的最大厚度，98.2％的峰值效率以及在20 V输出时温升低于40°C的情况。

eGaN FET凭借其快速的开关性能而提高了整体效率，其芯片级占位面积使其易于散热，从而实现了紧凑设计所需的低温上升。

EPC应用工程副总裁Michael de Rooij说：“计算机，显示器，智能电话和其他消费电子系统越来越薄，但功能越来越强大。

我们非常高兴与Microchip Technology和WürthElektronik合作开发超薄高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内实现更高功率的挑战”。

EPC Power Conversion是增强型GaN基功率管理器件的领先供应商，并且是第一家公司推出基于硅的增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管和集成电路来替代功率MOSFET器件。

其目标应用包括DC-DC转换器，无线电力传输，包络跟踪，RF传输，功率逆变器。

对于LiDAR和D类音频放大器等应用，该器件的性能比最佳硅功率MOSFET器件高出许多倍。

此外，EPC正在扩展其基于eGaN IC的产品系列，为客户提供可进一步节省电路板面积，能源和成本的解决方案。

有关详细信息，请访问我们的网站eGaN＆reg;。

是Efficient Power Conversion Corporation的注册商标。