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2013年6月3日，西雅图（2013年国际微波研讨会）-高功率射频（RF）功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）推出了六种新型号。 Airfast RF电源解决方案专为2.3 / 2.6 GHz频段的TD-LTE基站而设计。
高吞吐量和支持大量并发用户的能力使2.3 / 2.6 GHz成为全球LTE部署的首选频段。去年年底，中国政府宣布将2.3 / 2.6 GHz频段指定为TD-LTE技术部署和应用的指定频段，这显然意味着重要的增长机会。
最新的飞思卡尔Airfast晶体管以小尺寸提供出色的带宽和线性效率，旨在促进全球TD-LTE网络的快速部署。该产品涵盖从50W到200W的广泛功率范围，为城市蜂窝和宏蜂窝应用提供解决方案。
飞思卡尔RF部门高级副总裁兼总经理Ritu Favre表示：“飞思卡尔准确地预见了2.3 / 2.6GHz频段时代的来临和重要性，并通过其Airfast产品履行了其高性能承诺。 ＆amp; rdquo;我们的新型RF电源解决方案已经投放市场，有助于加速全球TD-LTE网络的部署。
＆quot;飞思卡尔的新产品反映了该公司致力于提供适用于广泛网络的系统级基站解决方案的承诺，范围从家庭基站到宏小区基站应用。除了Airfast射频电源解决方案，飞思卡尔还提供了一系列RF GaAs MMIC产品和全面的QorIQ Qonverge平台。
该平台是高度可扩展的基站处理器产品组合的基础，该产品组合基于通用架构构建，涵盖了各种规模的蜂窝基站。 QorIQ Qonverge平台使OEM可以将软件重新用于各种规模的蜂窝应用。
产品信息用于2.6GHz LTE频段的四个新的Airfast RF晶体管是打包的线性Doherty器件，它们以紧凑和小尺寸的设计提供了高效率。四种产品包括：AFT26HW050S / GS-专为2496-2690 MHz频带中的城市蜂窝基站应用而设计。
使用非对称Doherty技术，它可提供47.4 dBm的峰值功率。平均功率为9W时，该器件可提供47.1％的效率和14.2 dB的增益。
AFT26P100-4WS专为2496-2690 MHz频带中的大功率城市蜂窝基站应用而设计。使用对称Doherty技术，它可提供51 dBm的峰值功率。
平均功率为22W。该器件可提供43.9％的效率和15.3 dB的增益。
AFT26H160-4S4专为2496-2690 MHz频段的中功率宏小区基站应用而设计。使用非对称Doherty技术，它可提供52.6 dBm的峰值功率。
该器件的平均功率为32W，可提供44.4％的效率和15.7 dB的增益。 AFT26H200W03S-专门为2496-2690 MHz频带中的高功率宏小区基站应用而设计。
使用非对称Doherty技术，它可提供54.6 dBm的峰值功率。该器件的平均功率为45W，效率为44.4％，增益为14.0 dB。
这两个用于2.3 GHz LTE频段的新型Airfast RF晶体管是封装的线性Doherty器件，可在紧凑和小尺寸设计中提供高效率。这两个产品包括：AFT23H200-4S2L，设计用于2300-2400MHz蜂窝频带中的高功率宏蜂窝基站应用。
使用非对称Doherty技术，它可提供54.6 dBm的峰值功率。该器件的平均功率为45W，效率为42.8％，增益为15.3 dB。
AFT23S170-13S可用作Doherty功率放大器的主晶体管或峰值晶体管。在平均功率为45W的AB类功率放大器中，它可以提供33.9％的效率和18.8 dB的增益。
关于Airfast射频功率解决方案Airfast射频功率解决方案可以提高效率，峰值功率和信号带宽，同时减轻成本压力。这些产品具有出色的性能和能效，并被各种飞思卡尔RF技术所采用，例如LDMOS，GaAs和GaN。
“定价和供应” AFT26HW050S / GS，AFT26P100-4WS，AFT23H200-4S2L和AFT23S170-13S现已投入生产。 AFT26H200W03S和AFT26H160-4S4计划于2013年6月底之前投入生产。
请联系您当地的飞思卡尔销售代表，以获取价格信息和样品。有关飞思卡尔射频功率LDMOS解决方案的更多信息，请访问www.freescale.com/RFpower。
关于飞思卡尔半导体飞思卡尔半导体（纽约证券交易所代码：FSL）是电子产品的全球领导者